专利名称：复合介电层及其制作方法专利类型：发明专利发明人：张彬
申请号：CN200910200945.7申请日：20091225公开号：CN102110669A公开日：20110629
摘要：一种复合介电层及其制作方法，所述的复合介电层包括，氮掺杂的碳化硅层，碳掺杂的氧化硅层以及位于氮掺杂的碳化硅层和碳掺杂的氧化硅层之间的连接层。所述复合介电层及其制作方法提高了氮掺杂的碳化硅层和碳掺杂的氧化硅层之间粘附力。
申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址：201203 上海市张江路18号
国籍：CN
代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
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