专利名称：一种氮化镓发光二极管的外延结构专利类型：实用新型专利发明人：于浩
申请号：CN201520255465.1申请日：20150424公开号：CN204577452U公开日：20150819
摘要：本实用新型为一种氮化镓发光二极管的外延结构，在多个周期的量子阱结构中间插入缓冲插入层；N＝4～10个周期的下量子阱结构之上为M＝1～5个周期的缓冲插入层，其上为n＝1～8个周期的上量子阱结构。N≥(N+n)/2。缓冲插入层每个周期包括P型氮化镓搀杂层、P型氮化铟镓搀杂层和N型氮化镓搀杂层各一个。P型氮化镓搀杂层和P型氮化铟镓搀杂层中搀杂元素为镁、N型氮化镓搀杂层中搀杂元素为硅。缓冲插入层总厚度为35～675nm。本新型缓冲插入层防止电子越过有源区进入P型掺杂区与空穴复合，提高发光效率，当电流密度增加至250mA以上，发光效率持续增加，可达55％；发光二极管发光均匀性得到改善；易于推广应用。
申请人：广西盛和电子科技股份有限公司
地址：535000 广西壮族自治区钦州市高新技术产业开发区曙光园
国籍：CN
代理机构：桂林市持衡专利商标事务所有限公司
代理人：欧阳波
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