专利名称：一种金属硅化物的形成方法专利类型：发明专利发明人：王新鹏,张海洋申请号：CN201210337318.X申请日：20120912公开号：CN103681291A公开日：20140326
摘要：本发明涉及一种金属硅化物的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述衬底上包含至少一个位于核心区域的金属栅极、至少一个位于I/O区域的多晶硅栅极以及位于上述栅极之间的第一层间介质层；在所述衬底上形成图案化的接触沟槽掩膜层；以所述接触沟槽掩膜层为掩膜，蚀刻所述第一层间介质层，以在所述金属栅极和所述多晶硅栅极两侧的有源区形成接触沟槽，以露出所述衬底；去除所述接触沟槽掩膜层；在所述露出的衬底上以及多晶硅栅极上形成金属硅化物。本发明所述方法提供了在所述PMOS金属栅极以及NMOS金属栅极两侧的有源区形成相同或不同的金属硅化物的步骤，在该过程中同时在多晶硅栅极上以及有源区上形成金属硅化物，过程更加简单，提高了器件的良率。
申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江路18号
国籍：CN
代理机构：北京市磐华律师事务所
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容