（12）实用新型专利
（21）申请号 CN201821736284.0 （22）申请日 2018.10.25
（71）申请人 大连维钛克科技股份有限公司
地址 116600 辽宁省大连市经济技术开发区铁山西路3-1号-A、B
（10）申请公布号 CN209307476U
（43）申请公布日 2019.08.27
（72）发明人 侯玉萍 （74）专利代理机构
代理人
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
真空电弧离子镀膜源装置
（57）摘要
真空电弧离子镀膜源装置，阴极体前端连
接靶材，阴极体后部设有螺纹，阴极体通过螺纹连接调节螺母，阴极体外侧安装法兰，法兰与阴极体之间设有内绝缘套、外绝缘套和压紧密封胶圈，压紧密封胶圈位于内绝缘套和外绝缘套之间，法兰端面上位于外绝缘套外侧通过压紧螺栓安装压紧法兰。本实用新型的真空电弧离子镀膜源装置，可实现靶材的前后移动，确保靶材与工件的距离保持不变，确保了高效、高质的镀膜，
提高了生产效率。
法律状态
法律状态公告日
2019-08-27
授权
法律状态信息
授权
法律状态
权利要求说明书
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说明书
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