专利名称：一种过孔的形成方法专利类型：发明专利发明人：余云初,柳会雄申请号：CN200910195833.7申请日：20090917公开号：CN102024749A公开日：20110420
摘要：本发明提供一种过孔的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底上具有介质层；在所述介质层上涂布光阻层；以曝光的方式图形化所述光阻层；对所述光阻层显影，以去除所述曝光区的光阻层；对所述光阻层进行氧化处理；以剩余的所述光阻层为掩模刻蚀所述介质层以形成过孔，去除剩余的所述光阻层。所述过孔形成方法解决了光阻层曝光过程的驻波效应产生的较宽的毛边结构问题，使形成的过孔的质量良好，有利于降低生产成本。
申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址：201203 上海市张江路18号
国籍：CN
代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
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