一种降低正向压降的肖特基二极管

来源：哗拓教育

（19）中华人民共和国国家知识产权局

（12）实用新型专利

（21）申请号 CN201920949818.6 （22）申请日 2019.06.21

（71）申请人泰科天润半导体科技(北京)有限公司

地址 100000 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园B区1号楼106A、

（10）申请公布号 CN210467847U

（43）申请公布日 2020.05.05

113A、115A、117A、119A、121A （72）发明人张瑜洁;刘刚;宋安英

（74）专利代理机构福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙)

代理人宋连梅

（51）Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

（54）发明名称

一种降低正向压降的肖特基二极管

（57）摘要

本实用新型提供了一种降低正向压降的肖

特基二极管，第一导电类型碳化硅漂移层一，位于第一导电类型碳化硅衬底的正面；一第一导电类型碳化硅漂移层二，位于第一导电类型碳化硅漂移层一上；第二导电类型的有源注入区以及第二导电类型JTE注入区设于第一导电类型碳化硅漂移层一以及第一导电类型碳化硅漂移层二上；一场氧层，位于第一导电类型碳化硅漂移层二

上；一正面接触金属，正面接触金属设于第一导电类型碳化硅漂移层二的正面，且正面接触金属一侧面连接至场氧层一侧面；一背面接触金属，位于第一导电类型碳化硅衬底的背面；在降低正向压降的同时可以兼顾器件的反向漏电流。

法律状态

法律状态公告日

2020-05-05

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授权

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说明书

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