专利名称：优化金属平坦化工艺的方法专利类型：发明专利发明人：金一诺,王坚,王晖申请号：CN201580076084.X申请日：20150215公开号：CN107210209A公开日：20170926
摘要：本发明揭示了一种优化金属平坦化工艺的方法，包括：采用化学机械平坦化工艺去除互连结构上表面上的大部分金属层直到剩余金属层的厚度达到预定值Y，剩余金属层为覆盖互连结构上表面的连续层，其中，剩余金属层具有第一表面平均粗糙度Ra1，该第一表面平均粗糙度Ra1是由化学机械平坦化工艺引起的；采用无应力抛光工艺去除互连结构上表面上的剩余金属层，无应力抛光工艺完成后，互连结构凹进区域内的金属层的上表面低于互连结构的上表面，其凹陷值为H2，其中，凹进区域内的金属层具有第二表面平均粗糙度Ra2，该第二表面平均粗糙度Ra2是由无应力抛光工艺引起的，无应力抛光工艺去除的金属层的厚度除以Ra2得到比值α；当设置一凹陷值，为了得到无应力抛光工艺后金属表面粗糙度最小值，化学机械平坦化工艺后剩余金属层的厚度满足以下方程式：Y＝α/6*H2‑αRa1。
申请人：盛美半导体设备(上海)有限公司
地址：201203 上海市浦东新区中国上海浦东新区张江高科技园区蔡伦路1690号第4幢
国籍：CN
代理机构：上海专利商标事务所有限公司
代理人：骆希聪
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容