专利名称：并联结构及其制造方法及包括该并联结构的电子设
备
专利类型：发明专利发明人：朱慧珑
申请号：CN201811171611.7申请日：20181008公开号：CN109300874A公开日：20190201
摘要：公开了一种并联结构及其制造方法以及包括该并联结构的电子设备。并联结构包括包括在衬底上交替叠置的源/漏层和沟道层以及分别绕各沟道层的至少部分外周形成的栅堆叠。各沟道层、其上下两侧的源/漏层以及绕其形成的栅堆叠构成相应的半导体器件。在各半导体器件中，相应沟道层上下两侧的源/漏层之一与设于有源区外周的第一导电通道相接触，另一源/漏层与设于有源区外周的第二导电通道相接触，且绕该沟道层形成的栅堆叠与设于有源区外周的第三导电通道相接触。第一导电通道对于所有半导体器件是公共的，第二导电通道对于所有半导体器件是公共的，且第三导电通道对于所有半导体器件是公共的。
申请人：中国科学院微电子研究所
地址：100029 北京市朝阳区北土城西路3号
国籍：CN
代理机构：中科专利商标代理有限责任公司
代理人：倪斌
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