专利名称：消除在原子层沉积中二氧化硅膜的接缝的系统和方
法
专利类型：发明专利
发明人：唐伟,詹森·达埃金·帕克,巴特·范斯查文迪克,卡伊翰·
阿什蒂亚尼
申请号：CN201610408823.7申请日：20160612公开号：CN106245002A公开日：20161221
摘要：本发明涉及消除在原子层沉积中二氧化硅膜的接缝的系统和方法。一种用于填充在衬底中的沟槽的方法包括使沟槽部分地填充有第一二氧化硅层。在所述二氧化硅层上沉积非晶硅层。使所述沟槽填充有第二二氧化硅层。在所述衬底上进行氧化处理，以氧化所述非晶硅层。
申请人：朗姆研究公司
地址：美国加利福尼亚州
国籍：US
代理机构：上海胜康律师事务所
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