专利名称：晶圆级SIP模组结构及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：吴政达,陈彦亨,林正忠申请号：CN201911407358.5申请日：20191231公开号：CN111029263A公开日：20200417
摘要：本发明提供一种晶圆级SIP模组结构及其制备方法，包括如下步骤：提供衬底；于衬底上形成导电柱；提供芯片，将芯片贴置于所述衬底上；于衬底上形成第一塑封层；于第一塑封层的上表面形成重新布线层；提供连接器，将连接器贴置于所述重新布线层的上表面；于重新布线层的上表面形成第二塑封层；去除衬底；及于第一塑封层的下方形成焊料凸块。本发明的晶圆级SIP模组结构可以实现正面晶圆作业工艺，均匀性较好；正反两面导通工序简单，可以根据实际需要设定不同尺寸的导电柱；导电柱之间的间隙较小，集成度高；重新布线层可以为多层堆叠结构，可以根据实际需要调整重新布线层中金属线层的层数及厚度。
申请人：中芯长电半导体(江阴)有限公司
地址：214437 江苏省无锡市江阴市长山大道78号
国籍：CN
代理机构：上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人：施婷婷
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