一种采用N型衬底的发光二极管[实用新型专利]

来源：哗拓教育

专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：一种采用N型衬底的发光二极管专利类型：实用新型专利

发明人：蔡建九,杨凯,林志伟,陈凯轩,林志园申请号：CN201220374252.7申请日：20120731公开号：CN202797055U公开日：20130313

摘要：本实用新型公开一种采用N型衬底的发光二极管，包括N型GaAs衬底，在N型GaAs衬底上依次生长有N型GaAs缓冲层、布拉格反射层、N型下层、有源层、P型上层、P型电流扩展层、P型粗化层以及欧姆接触层；所述有源层可由Undoped-（AlxGa1-x）yIn1-yP构成；所述P型电流扩展层可由p-AlxGa1-xAs构成且其厚度为1～15um；所述P型粗化层可由p-（AlxGa1-x）yIn1-yP构成且其厚度为0.3～5um；所述欧姆接触层由P++GaAs构成；本实用新型可大幅提高发光二极管的外量子效率，发光效率高，使用寿命长。

申请人：厦门乾照光电股份有限公司

地址：361000 福建省厦门市火炬翔安产业区翔岳路19号

国籍：CN

代理机构：厦门市诚得知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：方惠春

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