专利名称：化学机械抛光后晶片清洗装置专利类型：发明专利
发明人：刘立中,陈逸男,刘献文申请号：CN201110306674.0申请日：20111010公开号：CN102773240A公开日：20121114
摘要：本发明公开了一种化学机械抛光后晶片清洗装置，其特征在于包含：腔体；多个滚轮，用来支撑和旋转腔体中的晶片；至少一个清洁刷，用来刷洗晶片的待清洗表面；和液体喷洒装置，用来喷洒液体到晶片上，其中液体喷洒装置包含二个喷洒杆，其经由接合构件接合在一起。
申请人：南亚科技股份有限公司
地址：中国台湾桃园县
国籍：CN
代理机构：深圳新创友知识产权代理有限公司
代理人：江耀纯
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