中级维修电工理论知识复习题—电子技术
一、选择题（每题1分）：
1-25．型号为 2AP9的晶体二极管表示（ D ）。
（Ａ）Ｎ型材料整流管（Ｂ）Ｎ型材料稳压管（Ｃ）Ｎ型材料开关管（Ｄ）Ｎ型材料普通管
15-8. 导通后二极管两端电压变化很小，锗管约为( C )。 A、0.5V B、0.7V C、0.3V D、0.1V 2-53．用于整流的二极管型号是（ C ）。
（Ａ）2ＡＰ9 （Ｂ）2ＣＷ14Ｃ （Ｃ）2ＣＺ52B （Ｄ）2ＣＫ84Ａ 3-52．下面型号中，表示稳压管型号的是（ B ）。
（Ａ）2AP1 （Ｂ）2CW54 （Ｃ）2CK84A （Ｄ）2CZ50 9-42．当反向电压小于击穿电压时二极管处于（ B ）状态。
（Ａ）死区 （Ｂ）截止 （Ｃ）导通 （Ｄ）击穿 9-43．晶体二极管处于导通状态时，其伏安特性是（ B ）。
（Ａ）电压微变，电流微变 （Ｂ）电压微变，电流剧变· （Ｃ）电压剧变，电流微变 （Ｄ）电压不变，电流剧变 9-69．晶体二极管正偏导通时，外电场（ A ）。
（Ａ）与ＰＮ结内电场方向相反，扩散运动加强 （Ｂ）与ＰＮ结内电场方向相同，漂移运动加强 （Ｃ）与ＰＮ结内电场方向相同，扩散运动减弱 （Ｄ）与ＰＮ结内电场方向相反，漂移运动减弱 9-70．硅二极管正向导通，其管压降为（ A ）。
（Ａ）０.７ Ｖ （Ｂ）０.３ Ｖ （Ｃ） 1Ｖ （Ｄ） ０.1Ｖ 3-49．晶体二极管正向偏置是指（ A ）。
（Ａ）正极接高电位，负极接低电位 （Ｂ）正极接低电位，负极接高电位 （Ｃ）二极管没有正负极之分 （Ｄ）二极管的极性任意接 8-52．二极管两端加上正向电压时（ B ）。
（Ａ）一定导通（Ｂ）超过死区电压才导通 （Ｃ）超过0.3Ｖ才导通（Ｄ）超过0.7Ｖ才导通 14-62．半导体整流电路中使用的整流二极管应选用（ D ）。
A、变容二极管 B、稳压二极管 C、点接触型二极管 D、面接触型二极管
（ √ ）3-97．晶体二极管具有单向导电性。
（ × ）8-99．二极管正向电阻比反向电阻大
（ √ ）11-49．按制作材料，晶体二极管可分为硅管和锗管。
9-45．硅稳压二极管与整流二极管不同之处在于（ B ）。
（Ａ）稳压管不具有单向导电性 （Ｂ）稳压管可工作在击穿区，整流二极管不允许 （Ｃ）整流二极管可工作在击穿区，稳压管不能 （Ｄ）稳压管击穿时端电压稳定，整流管则不然
15-21. 硅稳压二极管与一般二极管不同的是，稳压管工作在( B )。
A、击穿区 B、反向击穿区 C、导通区 D、反向导通区 3-51．欲使硅稳压管工作在击穿区，必须（ D ）。
（Ａ）加正向电压，且大于死区电压 （Ｂ）加正向电压，且小于死区电压 （Ｃ）加反向电压，且小于击穿电压 （Ｄ）加反向电压，且大于击穿电压 3-53．硅稳压管稳压电路中，若稳压管稳定电压为10Ｖ，则负载电压为（ A ）。
（Ａ）等于10Ｖ （Ｂ）小于10Ｖ （Ｃ）大于10Ｖ （Ｄ）无法确定 2-62．硅稳压管加正向电压时，（C ）。
（Ａ）立即导通 （Ｂ）超过0.3Ｖ导通 （Ｃ）超过死区电压导通 （Ｄ）超过ＩＶ导通 5-58．在硅稳压管稳压电路中，限流电阻的一个作用是（ D ）。
（Ａ）减小输出电流 （Ｂ）减小输出电压 （Ｃ）使稳压管工作在截止区 （Ｄ）调节输出电压 （ × ）1-87．在硅稳压管稳压电路中，稳压管必须与负载串联。 （ × ）11-51．稳压二极管若工作在击穿区，必然烧毁。 （ × ）11-148．硅稳压管只要工作在击穿区就立即损坏。
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9-44．锗低频小功率三极管型号为（ C ）。
（Ａ） ３ＺＤ （Ｂ） ３ＡＤ （Ｃ） ３ＡＸ （Ｄ） ３ＤＤ
2-61．晶体三极管内部ＰＮ结的个数有（ B ）个。 （Ａ）１（Ｂ）２（Ｃ）３（Ｄ）４ 3-50．估测三极管穿透电流时，（ A ）说明三极管性能较好。
（Ａ）阻值很大，指针几乎不动 （Ｂ）阻值很小，指针缓慢摆动 （Ｃ）阻值很小，指针较快摆动 （Ｄ）无法判定
5-56．在ＮＰＮ型晶体三极管放大电路中，如将其基极与发射极短路，三极管所处的状态是（ A ）。 （Ａ）截止 （Ｂ）饱和 （Ｃ）放大 （Ｄ）无法判定
7-72．三极管的开关特性是（ D ）。 （Ａ）截止相当于开关接通 （Ｂ）放大相当于开关接通 （Ｃ）饱和相当于开关接通 （Ｄ）截止相当于开关断开，饱和相当于开关接通
10-70．开关三极管一般的工作状态是（ D ）。（A）截止 （B）放大（C）饱和 （D）截止和饱和 14-60．如图所示电路中，三极管工作状态是（ B ）。 A、放大 B、饱和 C、截止 D、击穿 13-10. 三极管放大区的放大条件为( C )。
A、发射结正偏，集电结反偏 B、发射结反偏或零偏，集电结反偏 C、发射结和集电结正偏 D、发射结和集电结反偏 7-69.放大电路设置静态工作点的目的是（ B ）。
（Ａ）提高放大能力 （Ｂ）避免非线性失真 （Ｃ）获得合适的输入电阻和输出电阻 （Ｄ）使放大器工作稳定 （ √ ）11-50．晶体三极管发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。 （ × ）9-99．在实际工作中，ＮＰＮ型三极管和ＰＮＰ型三极管可直接替换。 （ √ ）11-110．实际工作中，放大三极管与开关三极管不能相互替换。 ( × ) 14-95. 在实际工作中整流二极管和稳压二极管可互相代替。 ( × )15-85. 三极管放大区的放大条件为发射结反偏或零偏，集电结反偏。
( √) 20-94.开关电路中，欲使三极管工作在饱和状态，其输入电流必须大于或等于三极管临界饱和电流。
2-63．在共发射极放大电路中，静态工作点一般设置在（ D ）。 （Ａ）直流负载线的上方 （Ｂ）直流负载线的中点上 （Ｃ）交流负载线的下方 （Ｄ）交流负载线的中点上
9-48．在共发射极放大电路中，若静态工作点设置过低，易产生（ C ）。
（Ａ）饱和失真 （Ｂ）交越失真 （Ｃ）截止失真 （Ｄ）直流失真 10-67．阻容耦合多级放大电路的输入电阻等于（ A ）。
（A）第一级输入电阻 （B）各级输入电阻之和（C）各级输入电阻之积 （D）末级输入电阻
15-32．在图中所示放大电路，已知Ucc=6V、Rc=2KΩ、RB=200KΩ、=50。放大电路的静态工作点为( A )。 A、30A B、1.5mA C、3mA D、1mA
3-55．在三种基本组合状态的放大电路中，输入电阻最低的是（ C ）电路。 （Ａ）共射放大 （Ｂ）共集放大 （Ｃ）共基放大 （Ｄ）共射极偏置电路 2-64．在单管晶体管放大电路中，电压放大倍数小的电路是（ A ）。
（Ａ）共集电极电路 （Ｂ）共发射极电路 （Ｃ）共基极电路 （Ｄ）分偏置电路
14-55．阻容耦合多级放大器中，（ A ）的说法是错误的。
A、放大直流信号 B、放大缓慢变化的信号 C、便于集成化 D、各级静态工作点互不影响
8-51．阻容耦合多级放大电路的输入电阻等于（ A ）。
（Ａ）第一级输入电阻（Ｂ）各级输入电阻之和（Ｃ）各级输入电阻之积（Ｄ）末级输入电阻
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压式
4-46．阻容耦合多级放大器可放大（ B ）。
（Ａ）直流信号 （Ｂ）交流信号 （Ｃ）交、直流信号 （Ｄ）反馈信号
16-42. 直流耦合放大电路可放大(C)。
A、直流信号 B、交流信号 C、直流信号和缓慢变化的交流信号 D、反馈信号
1-58．直接耦合放大电路产生零点漂移的主要原因是：（ A ）变化。
（Ａ）温度 （Ｂ）湿度 （Ｃ）电压 （Ｄ）电流 6-55．直流放大器克服零点漂移的措施是采用（ D ）。
（Ａ）分压式电流负反馈放大电路 （Ｂ）振荡电路 （Ｃ）滤波电路 （Ｄ）差动放大电路 14-58．差动放大电路的作用是（ D ）信号。
A、放大共模 B、放大差模 C．抑制共模 D、抑制共模，又放大差模
2-51．放大电路的静态工作点，是指输入信号（ A ）三极管的工作点。
（Ａ）为零时 （Ｂ）为正时 （Ｃ）为负时 （Ｄ）很小时
13-3. 推挽功率放大电路比单管甲类功率放大电路(C)。
A、输出电压高 B、输出电流大 C、效率高 D、效率低
6-54．推挽功率放大电路在正常工作过程中，晶体管工作在（ D ）状态。 （Ａ）放大 （Ｂ）饱和 （Ｃ）截止 （Ｄ）放大或截止 2-52．对功率放大电路最基本的要求是（ C ）。
（Ａ）输出信号电压大 （Ｂ）输出信号电流大
（Ｃ）输出信号电压和电流均大 （Ｄ）输出信号电压大、电流小
6-53．欲使放大器净输入信号削弱，应采取的反馈类型是（ D ）。
（Ａ）串联反馈 （Ｂ）并联反馈 （Ｃ）正反馈 （Ｄ）负反馈
3-72．将一个具有反馈的放大器的输出端短路，即三极管输出电压为０，反馈信号消失，则该放大器采用的反馈是（ C ）。 （Ａ）正反馈 （Ｂ）负反馈 （Ｃ）电压反馈 （Ｄ）电流反馈 （√）1-98．共集电极放大电路，输入信号与输出信号相位相同。
（ √ ）2-97．共发射极放大电路既有电压放大作用，也有电流放大作用。 （ × ）7-98．共发射极放大电路，想使静态工作点稳定，应引入正反馈。 （ × ）11-54．射极输出器，输出信号与输入信号相位相反。 （ × ）11-53．单管共发射极放大电路，输入信号和输出信号相位相同。 （ √ ）11-107．多级放大电路，要求信号在传输的过程中，失真要小。 （ × ）11-108．在输入信号一个周期内，甲类功放与乙类功放相比，单管工作时间短。 （ √ ）11-109．差动放大电路既可双端输入，又可单端输入。
( √ ) 13-86. 在直流放大器中，前级产生的零点飘移比后级严重得多。
3-73．正弦波振荡器由（ B ）大部分组成。 （Ａ） ２ （Ｂ） ３ （Ｃ） ４ （Ｄ） ５ 4-47．ＬＣ振荡器中，为容易起振而引入的反馈属于（ B ）。
（A）负反馈 （B）正反馈 （C）电压反馈 （D）电流反馈 16-1. 正弦波振荡器的振荡频率f取决于( D )。
A、正反馈强度 B、放大器放大倍数 C、反馈元件参数 D、选额网络参数 7-71．变压器耦合式振荡器属于（ A ）。
（Ａ）ＬＣ振荡电路 （Ｂ）RC振荡电路（Ｃ）RL振荡电路（Ｄ）石英晶体振荡电路
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16-73. 低频信号发生器的低频振荡信号由(D)振荡器产生。
A、LC B、电感三点式 C、电容三点式 D、RC 16-74. 低频信号发生器输出信号的频率范围一般在( B )。
A、0～20HZ B、20HZ～200KHZ C、50～100HZ D、100～200HZ
3-54．带直流负反馈的串联型稳压电路，是利用（ B ）作电压调整器件与负载串联。
（Ａ）取样电路 （Ｂ）三极管 （Ｃ）基准电路 （Ｄ）比较放大电路
6-77．带直流负反馈的串联型稳压电路，为提高稳压灵敏度，其比较放大电路的放大倍数应（ C ）。 （Ａ）较低 （Ｂ）很低 （Ｃ）较高 （Ｄ）很高
1-26．单相半波整流电路，加电容滤波器后，整流二极管承受的最高反向电压将（ C ）。 （Ａ）不变 （Ｂ）降低 （Ｃ）升高 （Ｄ）单相半波整流电路相同
9-46．一负载电流为10mA的单相半波整流电路，实际流过整流二极管的平均电流是（ B ）mA。 （Ａ） ０ （Ｂ） １０ （Ｃ） ５ （Ｄ） ３
5-57．在单相整流电路中，若输入电压相同，则二极管承受反向电压最高的电路是（ B ）。
（Ａ）单相半波整流电路（B）单相全波整流电路Ｃ）单相桥式整流电路（Ｄ）单相桥式半控整流电路 9-46．一负载电流为10mA的单相半波整流电路，实际流过整流二极管的平均电流是（ B ）mA。 （Ａ） ０ （Ｂ） １０ （Ｃ） ５ （Ｄ） ３ 9-47．小功率负载的滤波电路，要求滤波效果很好，应选择的滤波电路形式是（ D ）。
（Ａ）电容滤波器 （Ｂ）电感滤波器 （Ｃ） ＬＣπ型滤波器 （Ｄ）ＲＣπ型滤波器 （ × ）11-52．串联型稳压电路中的基准电压，其温度稳定性不会影响到输出电压的稳定性。 （ √ ）11-137．整流电路是把正弦交流电变换成脉动直流电的电路。
14-70. KP10-20表示普通反向阻断型晶闸管的正反向重复峰值电压是(D)。 A、10V B、1000V C、20V D、2000V
3-74．普通晶闸管管心由（ D ）层杂质半导体组成。 （Ａ） 1 （Ｂ）２（Ｃ） ３（Ｄ）４
7-74．普通晶闸管由中间Ｐ层引出的电极是（ B ）。（Ａ）阳极（B）门极（Ｃ）阴极（Ｄ）无法确定 8-55．在晶闸管寿命期内，若浪涌电流不超过６πIT ，晶闸管能忍受的次数是（ B ）。 （Ａ） ｌ次 （Ｂ） ２０次 （Ｃ） ４０次 （Ｄ） １００次
4-49．晶闸管外部的电极数目为（ C ）个。 （Ａ） 1 （Ｂ）２ （Ｃ） ３ （Ｄ） ４
10-72．晶闸管具有（ B ）性。 （A）单向导电 （B）可控单向导电性 （C）电流放大 （D）负阻效应
12-39. 用万用表测量测量控制极和阴极之间正向阻值时，一般反向电阻比正向电阻大，正向( A )，反向数百欧姆以上。 A、几十欧姆以下 B、几百欧姆以下 C、几千欧姆以下 D、几十千欧姆以下 1-59．晶闸管硬开通是在（ C ）情况下发生的。
（Ａ）阳极反向电压小于反向击穿电压 （Ｂ）阳极正向电压小于正向转折电压 （Ｃ）阳极正向电压大于正向转折电压 （Ｄ）阴极加正压，门极加反压 2-54．欲使导通晶闸管关断，错误的作法是（ B ）。
（Ａ）阳极、阴极间加反向电压 （Ｂ）撤去门极电压
（Ｃ）将阳极、阴极间正压减小至小于维持电压 （Ｄ）减小阴极电流，使其小于维持电流
12-67. 小容量晶体管调速器电路的主回路采用单相桥式半控整流电路，直接由( C )交流电源供电。 A、24V B、36V C、220V D、380V
6-57．室温下，阳极加６Ｖ正压，为保证可靠触发所加的门极电流应（ C ）门极触发电流。 （Ａ）小于 （Ｂ）等于 （Ｃ）大于 （Ｄ）任意 6-58．单结晶体管触发电路输出触发脉冲中的幅值取决于（ D ）。
（Ａ）发射极电压U C （Ｂ）电容 Ｃ （Ｃ）电阻R b （Ｄ）分压比η
2-55．关于同步电压为锯齿波的晶体管触发电路叙述正确的是（ B ）。
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（Ａ）产生的触发功率最大 （Ｂ）适用于大容量晶闸管 （Ｃ）锯齿波线性度最好 （Ｄ）适用于较小容量晶闸管
4-50．同步电压为锯齿波的晶体管触发电路，以锯齿波电压为基准，再串入（ B ）控制晶体管状态。 （Ａ）交流控制电压 （Ｂ）直流控制电压 （Ｃ）脉冲信号 （Ｄ）任意波形电压 16-15. 单结晶体管触发电路产生的输出电压波形是(D)。
A、正弦波 B、直流电 C、尖脉冲 D、锯齿波
1-46．采用单结晶体管延时电路的晶体管时间继电器，其延时电路由（ A ）等部分组成。 （Ａ）延时环节、鉴幅器、输出电路、电源和指示灯 （Ｂ）主电路、辅助电源、双稳态触发器及其附属电路
（Ｃ）振荡电路、记数电路、输出电路、电源 （Ｄ）电磁系统、触头系统 14-71. 如图所示单结晶体管振荡电路，决定控制角的元件是( B )。 A、Re B、Re和Ce C、RB2 D、RB1
14-72. 晶体管触发电路适用于(C)的晶闸管设备中。 A、输出电压线性好 B、控制电压线性好 C、输出电压和电流线性好 D、触发功率小
（ √ ）11-87．晶体管延时电路可采用单结晶体管延时电路、不对称双稳态电路的延时电路及MOS型场效应管延时电路三种来实现。 （ × ）6-99．单结晶体管具有单向导电性。
（ × ）14-84． 在单结晶体管触发电路中．单结晶体管工作在关状态． （ × ）1-99．晶闸管无论加多大正向阳极电压，均不导通。 （ √ ）11-112．晶闸管都是用硅材料制作的。 （ × ）11-113．晶闸管的通态平均电压越大越好。 （ × ）6-98．自激振荡器是一个需外加输入信号的选频放大器。 （ √ ）11-114．晶体管触发电路要求触发功率较大。
15-28. 在单相半波可控整流电路中，电感Ld电感量越大，电流在负半波流动的时间( B )。
A、越短 B、越长 C、不变 D、变化不定
4-51．三相半波可控整流电路，若变压器次级电压为Ｕ2，且０0＜α＜３０0，则输出平均电压为（ A ）。 （Ａ）1.17Ｕ2cosα （Ｂ）0.9Ｕ2cosα （Ｃ）0.45Ｕ2cosα （Ｄ）1.17Ｕ2 6-59．单相全波可控整流电路，若控制角。变大，则输出平均电压（ B ）。 （Ａ）不变 （Ｂ）变小 （Ｃ）变大 （Ｄ）为零 14-73. 单项全波可控整流电路，若控制角α变大，则输出平均电压(B)。 A、不变 B、变小 C、变大 D、为零
14-74. 三相半波可控整流电路，晶闸管承受的最大反向电压是(D)。
A、变压器次级相电压有效值 B、变压器次级相电压最大值 C、变压器次级线电压有效值 D、变压器次级线电压最大值
3-75．单相半波可控整流电路，若负载平均电流为10ｍＡ，则实际通过整流二极管的平均电流为（ C ）ｍＡ。 （Ａ）５ Ａ （Ｂ） ０ （Ｃ） １０ （Ｄ） ２０ 7-75．在三相半波可控整流电路中，控制角α的最大移相范围是（ B ）。 （Ａ）90 o （Ｂ）150 o （Ｃ）180 o （Ｄ）360 o
8-56．三相半波可控整流电路，若负载平均电流为18Ａ，则每个晶闸管实际通过的平均电流为（ C ）Ａ。 （Ａ）１８ （Ｂ）９ （Ｃ）６ （Ｄ）３
16-61. 单向半波可控整流电路，变压器次级电压为20V，则整流二极管实际承受的最高反向电压为(B)。 A、20V B、202 V C、18V D、9V
13-50. 在单相桥式全控整流电路中，当控制角α增大时，平均输出电压Ud( B )。 A、增大 B、下降 C、不变 D、无明显变化
12-46. 单相桥式全控整流电路的优点是提高了变压器的利用率，( C )，且输出电压脉动小。
A、减少了晶闸管的数量 B、降低了成本 C、不需要带中间抽头的变压器 D、不需要维护
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( √ )13-94.在单相半波可控整流电路中，调节触发信号加到控制极上的时刻，改变控制角的大小，就实现了控制输出直流电压的大小。
（ √ ）7-99．单向半波可控整流电路，无论输入电压极性如何改变，其输出电压极性不会改变。 ( × ) 14-96. 单向可控整流电路中，二极管承受的最大反向电压出现在晶闸管导通时。 （ × ）10-100．单项全波可控整流电路，晶闸管导通角β越小，输出平均电压越高。 （ √ ）11-116．单向全波可控整流电路，可通过改变控制角大小改变输出负载电压。 ( × ) 16-97. 在三相半波可控整流电路中，若α>30°，输出电压波形连续。
（ √ ）11-160．三相半波可控整流电路中，若触发脉冲在自然换相点之前加入，输出电压波形变为缺相波形。
4-48．在脉冲电路中，应选择（ B ）的三极管。
（Ａ）放大能力强 （Ｂ）开关速度快 （Ｃ）集电极最大耗散功率高 （Ｄ）价格便宜
14-54．在遥测系统中，需要通过（ C ）把非电量的变化转变为电信号。
A、电阻器 B、电容器 C、传感器 D、晶体管
6-47．半导体发光数码管由（ C ）个条状的发光二极管组成。 （Ａ）５ （Ｂ）６ （Ｃ）７ （Ｄ）８
13-69．如图所示真值表中所表达的逻辑关系是（ C ）。 A、与 B、或 C、与非 D、或非 6-56．由一个三极管组成的基本门电路是（ B ）。
（Ａ）与门 （Ｂ）非门 （Ｃ）或门 （Ｄ）异或门
7-73．符合“或”逻辑关系的表达式是（ C ）。 （Ａ）ｌ＋ｌ＝２ （Ｂ）ｌ＋ ｌ＝ １０ （Ｃ） ｌ＋ｌ＝ ｌ （Ｄ）1+1＝０ 8-53．数字集成门电路，目前生产最多且应用最普遍的门电路是（ D ）。
（Ａ）与门 （Ｂ）或门 （Ｃ）非门 （Ｄ）与非门 8-54．ＴＴＬ“与非”门电路是以（ B ）为基本元件构成的。
（Ａ）电容器 （Ｂ）双极性三极管 （Ｃ）二极管 （Ｄ）晶闸管
P 3V 14-67. 如图表示的是( B )门电路。
3V A、或门 B、与门 C、非门 D、与非门 （ × ）2-98．数字信号是指在时间上和数量上都不连续变化，且作用时间很短的电信号。 3V UGB 5V （ √ ）4-98．最常用的数码显示器是七段式显示器件。
（ √ ）10-96．常见的七段式显示器有荧光数码管，液晶显示器和半导体发光数码管。 （ × ）4-100．或门电路，只有当输入信号全部为１时输出才会是１。 （ √ ）10-99．非门电路只有一个输入端，一个输出端。 （ × ）11-111．在MOS门电路中，欲使NMOS管导通可靠，栅极所加电压应小于开启电压ＵＴN。
（ √ ）1-82．电容器具有隔直流、通交流作用。 （ √ ）11-149．电容滤波器会产生浪涌电流。
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（）59、三相半波可控整流电路，若负载平均电流为18A，则每个晶闸管实际通过的平均电流为（ C ）。 A、18A B、9A C、6A D、3A
() 320．计数器主要由（ D ）组成。
（A）RC环形多谐振荡器（B）石英晶体多谐振荡器（C）显示器（D）触发器 () 325．斩波器中若用电力场效应管，应该（ B ）的要求。 （A）提高对滤波元器件（B）降低对滤波元器件（C）提高对管子耐压 （D）降低对管子耐压
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() 326．电力晶体管是（ A ）控制型器件。 （A）电流（B）电压（C）功率（D）频率 () 327．绝缘栅双极晶体管具有（ D ）的优点。
（A）晶闸管（B）单结晶体管（C）电力场效应管（D）电力晶体管和电力场效应管 () 451．直流电动机调速所用的斩波器主要起（ D ）作用。 （A）调电阻（B）调电流（C）调电抗（D）调电压
() 465．将二进制数010101011011转换为十进制数是（ A ）。 （A）1361（B）3161（C）1136（D）1631 () 485．逻辑表达式Y=A+B属于（ B ）电路。 （A）与门（B）或门（C）与非门（D）或非门
() 486．TTL与非门输入端全部接高电平时，输出为（B ）。 （A）零电平（B）低电平（C）高电平（D）低电平或高电平 () 487．或非门RS触发器的触发信号为（ B ）。 （A）正弦波（B）正脉冲（C）锯齿波（D）负脉冲 () 488．多谐振荡器（ D ）。
（A）有一个稳态（B）有两个稳态（C）没有稳态，有一个暂稳态 （D）没有稳态，有两个稳态，有两个暂稳态
() 322．在带平衡电抗器的双反星形可控整流电路中，负载电流是同时由（ B ）绕组承担的。 （A）一个晶闸管和一个（B）两个晶闸管和两个（C）三个晶闸管和三个（D）四个晶闸管和四个
()（√）16、高电位用“1”表示，低电位用“0”表示，称为正逻辑。 ()（×）15、在实际工作中整流二极管和稳压二极管可互相代替。
()（×）84、由于整流式直流电焊机仅由六只二极管组成，所以其成本很低。
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