用纳秒脉冲激光退火制备纳米硅发光材料的方法及装置

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201510664019.0 （22）申请日 2015.10.15 （71）申请人 贵州大学

地址 550025 贵州省贵阳市花溪区贵州大学北校区科学技术处

（10）申请公布号 CN105200376A

（43）申请公布日 2015.12.30

（72）发明人 黄伟其

（74）专利代理机构 贵阳中新专利商标事务所

代理人 李亮

（51）Int.CI

C23C14/28; C23C14/58; C23C14/16; H01L33/00;

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

用纳秒脉冲激光退火制备纳米硅发光材料的方法及装置

（57）摘要

本发明公开了一种用纳秒脉冲激光退火制

备纳米硅发光材料的方法及装置。本发明采用在硅片上以纳秒脉冲激光退火方法制备纳米硅发光材料，由于光子作用样品来升温稳定性好、退火氛围好控制且操作灵敏特，可以进行精准的10秒

到5分钟的快速退火，别适合快速退火要求；所用来退火的纳秒脉冲激光可以使样品温度保持到500K-1800K的需求点，获取很好的晶化条件；完全可以替代火炉退火的方式来制备纳米硅结构，所制备出2-5nm的硅量子点结构，在其结构上实现了光泵浦可见光区的强发光和电泵浦在光通信波段的发光，通过控制纳秒脉冲激光的脉冲宽度、光子强度、脉冲重复率、光子波长及作用时间等参量可以制备2-3nm、3-4nm与4-5nm尺度分布很窄的量子点结构。本发明简单易行，使用效果好。

法律状态

法律状态公告日

法律状态信息

2015-12-30 公开 2015-12-30 公开

2016-01-27 实质审查的生效 2016-01-27 实质审查的生效

2019-06-28

发明专利申请公布后的驳回法律状态

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效

发明专利申请公布后的驳回

权利要求说明书

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说明书

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